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长鑫科技拟使用180亿元超募资金投建新项目

2026-09-28 22:52

【导读】长鑫科技拟使用180亿元超募资金投建新项目

中国基金报记者 卢鸰

长鑫科技9月28日晚发布公告称,公司当日召开第二届董事会第六次会议,审议通过了《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》,公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目,同时,公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司(以下简称长鑫产品合肥)提供超募资金50亿元,由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品(合肥)有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

此前,长鑫科技IPO募集资金总额为666.07亿元,扣除发行费用(不含增值税,含印花税)后的募集资金净额为663.1亿元。

长鑫科技表示,构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本,在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径,公司必须依托持续的研发投入,驱动工艺技术的代际演进,确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键,更是构筑企业深厚“护城河”、提升抗风险能力的必由之路。

因此,公司拟通过实施超募项目,开展技术研发工作,在保持公司技术领先性的同时,也有利于公司更快推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品,以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。

完善IDM模式测试是DRAM生产中不可或缺的环节,但因其测试的专用设备特性,随着公司产能不断提升、产品种类增多,公司可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为避免测试产能成为产能瓶颈,同时保障供应链安全,长鑫科技急需增加自建测试产能的投入。同时,通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目,能够更灵活协调测试产能利用,降低公司DRAM芯片测试成本,提升公司运营效率和测试技术水平,有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。

编辑:赵新亮

校对:王玥

制作:鹿米

审核:木鱼


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